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PH-M-009

SiC 박막 웨이퍼

포토닉소재광집적회로 소재
PRODUCT

기술 설명

집적형 양자광원용

세부 스펙

SiC/SiO2/Si, SiC 두께: 100-1000nm, SiC 표면거칠기: <1nm rms, 기판크기: 6-8인치

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